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亚博真人:2016年3DV-NAND市场扩大10倍三星拉大与后起业者差距
时间:2020-10-24 来源:亚博真人 浏览量 76859 次

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【亚博真人】在内存芯片市场上,横向填充结构的3DV-NANDFlash比例迅速扩大,全球企业之间的竞争也在加剧。 据韩国MTNews报道,预计到2016年,3DV-NAND市场规模将增加10倍,除了现在垄断市场的三星电子以外,预计更多的半导体工厂将加快V-NAND的生产。

三星坐在大V-NAND市场,为了扩大与后企业家的差距,生产产品从现在的32层填充结构减少到48层。 据外电报道,在NANDFlash的技术分类中,V-NAND所占比例预计从第二季度的2.9%上升到年末的7.4%,到2016年第四季度减少到29.6%,预计一年半内将扩大到约10倍。

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V-NAND市场迅速繁荣,2017年跃居到现在占市场97%的平面TLC或MLCNANDFlash,以41.2%成为主要产品。 2019年V-NAND以77.2%的市占有率控制市场。 由于技术难度较低,现在的V-NAND只在高端市场(如服务器产品)中使用,但将来不会迅速扩展到移动设备市场。

3DV-NAND与平面NAND相比,处理速度慢2倍,耐久性慢10倍,生产率低2倍,功耗也增加了一半。 TLC更容易构建高容量化,与重量体积一起大幅减少。

现在三星和日资巨头东芝(Toshiba )生产TLCNAND,V-NAND市场被三星垄断。 V-NAND市场的规模扩大,半导体制造商也在加速移动。

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亚博真人三星以来,NANDFlash市场的二哥东芝计划在2015年下半年投入48层的VNAND生产。:亚博真人。

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